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Título: PROTOTIPAGEM DISCRETA E ANÁLISE POR SIMULAÇÃO DE ESPELHOS DE CORRENTE COM LSOT Autores: MATEUS MOURA COSTA SIMÕES Descrição: Em qualquer análise de transistores MOSFET, um parâmetro muito importante a ser verificado é a tensão de limiar de saturação entre dreno e fonte (VDSAT). De fato, enquanto o transistor está na região tríodo, a corrente no canal do dreno varia muito com pequenas variações de tensão, já quando o transistor está na região de saturação, a corrente permanece praticamente constante com variações de tensão, permitindo diversas aplicações práticas, como por exemplo, espelhos de corrente. Com o objetivo de antecipar esta tensão de limiar, será utilizada a rede LSOT (Low Saturation Onset Transistor), na qual, quatro transistores funcionam como um. Essa rede funciona partindo do princípio de que, na região tríodo, a corrente de dreno apresenta duas componentes: a de saturação direta, e a de saturação reversa, sendo que, a componente de saturação reversa reduz com o aumento da tensão. Percebe-se que esta parcela da corrente é indesejada, e que, caso, de alguma forma fosse possível remover, ou pelo menos, reduzir o valor dessa componente de saturação reversa, o valor de VDSAT seria consideravelmente menor. Sendo assim, aplicando a rede LSOT, conseguimos cancelar esta parcela de saturação reversa, trazendo o valor de VDSAT para baixo. Simulações em softwares computacionais já foram realizadas, verificando esta característica, porém, faltava um trabalho que mostrasse por meio de uma implementação física com componentes reais a funcionabilidade e viabilidade da rede LSOT. Com isso, foi desenvolvido esse projeto de pesquisa, utilizando componentes físicos, e instrumentos de medição com alto grau de precisão, para que pudesse ser provada a viabilidade da rede. #LSOT, #Tensão Limiar de Saturação, #Transistores, #CongressoVirtualUFBA2021, #videoposter, #UFBA